Gündem
GaN teknolojisinde büyük atılım: 4.000 Volt'a dayanan transistör geliştirildi
İsviçre’deki araştırmacılar, galyum nitrat (GaN) tabanlı güç elektroniğinde önemli bir sınırı aşmayı başardı. Geliştirilen yeni transistör, 4 kV gerilime dayanırken düşük elektrik direncini koruyor.
Haberin ayrıntıları, yeni bilgiler ve ilgili açıklamalar için aşağıdaki kaynak bağlantısını kullanabilirsiniz.